3 µm-es folyamat - 3 µm process

Félvezető eszköz gyártása
MOSFET méretezés ( folyamatcsomópontok )
0 10 µm  - 1971 00 6 µm  - 1974 00 3 µm  - 1977   1,5 µm  - 1981 00 1 µm  - 1984 800 nm  - 1987 600 nm  - 1990 350 nm  - 1993 250 nm  - 1996 180 nm  - 1999 130 nm  - 2001 0 90 nm  - 2003 0 65 nm  - 2005 0 45 nm  - 2007 0 32 nm  - 2009 0 22 nm  - 2012 0 14 nm  - 2014 0 10 nm  - 2016 00 7 nm  > 2017 00 5 nm  > 2018
Jövő 00 3 nm  > 2020 00 2 nm  > 2020 00 1,4 nm  > 2020
Fél csomópontok Sűrűség CMOS Eszköz ( többkapu ) Moore törvénye Félvezető Ipar Nanoelektronika
v t e

A 3  μm-es folyamat a MOSFET félvezető-technológiai technológia szintje , amelyet olyan vezető félvezető vállalatok, mint az Intel , 1977 körül értek el .

3 μm gyártási eljárással rendelkező termékek

• Az 1976-ban piacra dobott Intel 8085 CPU- t 3,2 μm NMOS ( HMOS ) eljárással gyártották .
• Az 1978-ban piacra dobott Intel 8086 CPU- t 3,2 μm NMOS (HMOS) eljárással gyártották.
• Hitachi „s 4 kbit HM6147 SRAM memória chip-ben indult 1978-ban, bevezette a kettős üregű CMOS folyamat, a 3 um.  
• Az 1979-ben piacra dobott Intel 8088 CPU- t 3,2 μm NMOS (HMOS) eljárással gyártották.
• Az 1979-ben piacra dobott Motorola 68000 (MC68000) CPU-t eredetileg 3,5 μm-es HMOS-eljárással gyártották.
• Az ARM1- et 1985-ben dobták piacra és 3   μm-es eljárással gyártották .

Hivatkozások

Ez a nanotechnológiával kapcsolatos cikk csonka . Segíthet Wikipedia szerint bővítette . v t e